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EnglishIn this article we present a common-drain floating gate bias circuit design for POSFET (Piezoelectric Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) touch sensing devices. A graphical-aided methodology, intended to furnish a criterion that assures the selection of the most appropriate bias resistance value, is presented. © 2012 Springer Science+Business Media, LLC.
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| Titolo: | POSFET touch sensing devices: Bias circuit design based on the ACM MOS transistor compact model | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2012 | |
| Abstract: | In this article we present a common-drain floating gate bias circuit design for POSFET (Piezoelectric Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) touch sensing devices. A graphical-aided methodology, intended to furnish a criterion that assures the selection of the most appropriate bias resistance value, is presented. © 2012 Springer Science+Business Media, LLC. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11567/536328 | |
| ISBN: | 9781461409342 | |
| Appare nelle tipologie: | 04.01 - Contributo in atti di convegno |
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