Electrical characteristics of silicon pixel detectors

I. Gorelov;G. Gorfine;M. Hoeferkamp;V. Mata Bruni;G. Santistevan;S. C. Seidel;A. Ciocio;K. Einsweiler;J. Emes;M. Gilchriese;A. Joshi;S. Kleinfelder;R. Marchesini;F. McCormack;O. Milgrome;N. Palaio;F. Pengg;J. Richardson;G. Zizka;M. Ackers;G. Comes;P. Fischer;M. Keil;G. Martinez;I. Peric;O. Runolfsson;T. Stockmanns;J. Treis;N. Wermes;C. Gößling;F. Hügging;J. Klaiber Lodewigs;O. Krasel;J. Wüstenfeld;R. Wunstorf;BARBERIS, DARIO;R. Beccherle;C. Caso;M. Cervetto;G. Darbo;GAGLIARDI, GUIDO;C. Gemme;P. Morettini;P. Netchaeva;OSCULATI, BIANCA MARIA;L. Rossi;E. Charles;D. Fasching;L. Blanquart;P. Breugnon;D. Calvet;J. C. Clemens;P. Delpierre;G. Hallewell;D. Laugier;T. Mouthuy;A. Rozanov;I. Valin;A. Andreazza;M. Caccia;M. Citterio;T. Lari;C. Meroni;F. Ragusa;C. Troncon;G. Vegni;G. Lutz;R. H. Richter;T. Rohe;G. R. Boyd;P. L. Skubic;P. Šı́cho;L. Tomasek;V. Vrba;M. Holder;M. Ziolkowski;D. Cauz;M. Cobal Grassmann;S. D’Auria;B. De Lotto;C. del Papa;H. Grassmann;L. Santi;K. H. Becks;G. Lenzen;C. Linder

2002-01-01