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EnglishRecombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons / P.G. FUOCHI; A. MARTELLI; G.M. BISIO; E. DI ZITTI; M.G. MOTTO; B. PASSERINI; M. ZAMBELLI. - In: RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY. - ISSN 0146-5724. - STAMPA. - 31(1988), pp. 809-819.
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http://hdl.handle.net/11567/191962| Titolo: | Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons |
| Autori interni: | BISIO, GIACOMO DI ZITTI, ERMANNO |
| Data di pubblicazione: | 1988 |
| Rivista: | RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11567/191962 |
| Appare nelle tipologie: | 01.01 - Articolo su rivista |
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