Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons / P.G. FUOCHI; A. MARTELLI; G.M. BISIO; E. DI ZITTI; M.G. MOTTO; B. PASSERINI; M. ZAMBELLI. - In: RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY. - ISSN 0146-5724. - STAMPA. - 31(1988), pp. 809-819.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Titolo: | Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 1988 | |
Rivista: | ||
Citazione: | Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons / P.G. FUOCHI; A. MARTELLI; G.M. BISIO; E. DI ZITTI; M.G. MOTTO; B. PASSERINI; M. ZAMBELLI. - In: RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY. - ISSN 0146-5724. - STAMPA. - 31(1988), pp. 809-819. | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11567/191962 | |
Appare nelle tipologie: | 01.01 - Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.