Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons / P.G. FUOCHI; A. MARTELLI; G.M. BISIO; E. DI ZITTI; M.G. MOTTO; B. PASSERINI; M. ZAMBELLI. - In: RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY. - ISSN 0146-5724. - STAMPA. - 31(1988), pp. 809-819.

Recombination Centers and Electrical Characteristics in Silicon P-i-N Diodes Irradiated with Energy Electrons

BISIO, GIACOMO;DI ZITTI, ERMANNO;
1988

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